Оптическая сканирующая микроскопия. Фото: Max Planck Institute.
Мы рады пригласить вас на Коллоквиум Сколтеха!
Когда: 30 октября в 16:00
Где: Сколтех
О Спикере: Д-р Дмитрий Казанцев
Институт теоретической и экспериментальной физики, Москва (постоянная работа)
Институт интегрированных систем и технологии устройств им. Фраунгофера, Эрланген, ФРГ (со-руководитель проекта Научно-исследовательского фонда Германии DFG)
О Коллоквиуме: Будут представлены принцип действия и технические решения безапертурного оптического сканирующего микроскопа ближнего поля (английская аббревиатура – ASNOM). Удлиненный зонд, подобный используемому в атомно-силовой микроскопии, действует как дипольная штыревая антенна и обеспечивает эффективную связь внешних электромагнитных волн с локальными полями, сосредоточенными в промежутке между поверхностью образца и кончиком зонда. Возбужденные колебания дипольного момента кончика также могут быть эффективно излучены им в окружающее пространство, сфокусированы обычными оптическими элементами (зеркалами, линзами) и затем приняты обычным фотодетектором. Будет показано, что сигнал, накапливаемый микроскопом ASNOM, пропорционален, в основном, комплексной амплитуде локального электромагнитного поля в области кончика зонда и некоторому выражению диэлектрической функции локальной поверхности. Поперечное разрешение микроскопа ASNOM определяется радиусом кончика (1-20 нм) независимо от рабочей длины волны (от видимого света до, по меньшей мере, 10 мкм). Построенная нами сканирующая головка микроскопа ASNOM, также как и электроника, специально сконструированная для обеспечения его работы, будут рассмотрены подробно.
Д-р Дмитрий Казанцев
Будут представлены графические изображения распределения диэлектрической проницаемости по поверхности (в виде комплексного числа) для полупроводниковых образцов (Si, Ge, SiC). Будет показано, что контраст, обеспечиваемый микроскопом ASNOM, достаточен не только для различения материалов, но даже для отображения распределения примесей в одном и том же материале.
Будет представлено графическое изображение локального поля бегущей фононно-поляритонной волны, резонансно возбужденной светом (~10,6 мкм) на поверхности полярного кристалла SiC. Хорошее количественное согласие смоделированных и измеренных распределений сигнала микроскопа ASNOM показывает, что сигнал, принимаемый микроскопом, действительно является комплексным значением (со своей амплитудой и фазой) локального электромагнитного поля в области кончика зонда. Будет рассказано о поверхностных оптических явлениях (фокусировка, рефракция, волноводный эффект), наблюдавшихся при помощи микроскопа ASNOM на образцах SiC.
Будем рады видеть вас!
Если у Вас возникли вопросы и/или Вы хотели бы зарегистрироваться на событие, пожалуйста, Лилии Абаимовой. Рабочий язык мероприятия – английский, вход свободный. Приходите, мы будем рады видеть Вас!
