18 мая в Сколтехе прошла научная сессия «Материалы для современной микроэлектронной элементной базы». Инициаторами сессии стали Научный совет РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, АО «НИИМЭ», Сколтех и кластер передовых производственных технологий, ядерных и космических технологий Фонда «Сколково»
Свои доклады представили институты РАН, академические университеты и предприятия из Н. Новгорода, Новосибирска, Зеленограда, Долгопрудного, Санкт-Петербурга и Москвы.
Открывая научную сессию, ректор Сколтеха, академик Александр Кулешов отметил: «Материаловедение является одним из стратегических направлений в научно-исследовательской деятельности Сколтеха, мы рады новым контактам, приглашаем коллег посетить наши лаборатории и надеемся, что в следующем году научная сессия по материалам для современной микроэлектронике пройдет уже на территории нового кампуса Сколковского института науки и технологии».

Открывая научную сессию, ректор Сколтеха, академик Александр Кулешов отметил: «Материаловедение является одним из стратегических направлений в научно-исследовательской деятельности Сколтеха, мы рады новым контактам, приглашаем коллег посетить наши лаборатории и надеемся, что в следующем году научная сессия по материалам для современной микроэлектронике пройдет уже на территории нового кампуса Сколковского института науки и технологии».
Геннадий Красников, академик РАН, доктор технических наук, профессор, генеральный директор АО «НИИМЭ», председатель Совета директоров ПАО “Микрон” вел научную сессию. Нам удалось взять небольшое интервью у Геннадия Яковлевича после завершения мероприятия:
Вопрос: «Геннадий Яковлевич, сегодня было представлено одиннадцать научных докладов, о различных перспективных разработках. Какие исследования, по вашему мнению, могут быть наиболее интересны с точки зрения коммерческой перспективы?»
Ответ: «Это одновременно сложный и простой вопрос. Все фундаментальные разработки носят прикладной характер, но большое значение играет фактор времени. Сегодняшние доклады были отобраны по принципу наибольшей актуальности для электронной промышленности в горизонте 5-10 лет. По многим направлениям, например, сегнетоэлектрической памяти и резистивной памяти, новые материалы для каналов МОП транзисторов, идут настоящие битвы исследователей, эти работы крайне актуальны и мы их очень ждем.
Вопрос: «Как вы видите стратегию развития отечественной микроэлектронной промышленности?
Ответ: «Находясь в такой наукоемкой и капиталоемкой отрасли, как микроэлектроника, мы понимаем, что наши сильные стороны отнюдь не в производстве товаров наименьшей стоимости, мы должны формировать свои конкурентные преимущества в области создания критически важных перспективных технологий»
Вопрос: Какую поддержку отрасли может оказать Фонд «Сколково»?
Ответ: «Уровень разработок участников научной сессии очень высокий и результаты исследований не хуже, а в некоторых работах – значительно лучше, чем у их зарубежных коллег. Однако пока лишь немногие исследователи главной целью своей работы полагают конкретный коммерциализируемый результат, еще реже у научных коллективов имеется такой опыт. В развитии именно этой компетенции должно строиться основное взаимодействие с Фондом»
Алексей Беляков, вице-президент Фонда «Сколково», директор кластера передовых производственных технологий, ядерных и космических технологий Фонда «Сколково», так прокомментировал состоявшуюся научную сессию: «Мы ощущаем нехватку компаний, работающих в области материалов для микроэлектроники. Есть перспективные разработки в институтах Академии наук и вузах, но зачастую им не хватает ресурсов для того чтобы довести разработки до потребителя. Этот семинар – попытка определить наиболее продвинутые в научном плане разработки и помочь ими инструментами Фонда «Сколково».
Мы планируем продолжать продуктивное сотрудничество с НИИМЭ и другими участниками сегодняшнего мероприятия. Создание перспективных материалов для микроэлектроники является одним из ключевых форсайтов кластера «Промтех».
По результатам сегодняшней сессии мы договорились с несколькими научными коллективами о более подробном знакомстве и надеемся, в будущем увидеть их среди наших участников».
Член-корр. РАН Лукичев Владимир Федорович, ФТИАН РАН «Материалы и структуры наноэлектроники в конце RoadMAP».
Д.т.н. Гамкрелидзе Сергей Анатольевич Институт СВЧ полупроводниковой электроники «Актуальные проблемы создания отечественных материалов для перспективной электронной базы».
Кржижановская Н.В., СПб Академический университет «Перспективные устройства нанофотоники на основе квантово – размерных структур и оптических микрорезонаторов».
Д.ф.-м.н. Попов Владимир Павлович, ИФП СО РАН «Многослойные структуры с диэлектриками (КНИ, КНС, резистивная память)
Д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич, ИФП СО РАН «Гетероструктуры А3В5 на кремнии для СВЧ электроники» .
Д.ф. – м.н. Рощупкин Дмитрий Валентинович, ИПТМ РАН «Статус работ по получению, исследованию и применению 1D и 2D кристаллов в ИПТМ РАН”.