Ключевые слова: СБИС, межсоединения, диэлектрик, ультранизкая диэлектрическая проницаемость, нанокомпозит
Применение: Межсоединения в СБИС, межслойные диэлектрики
Проблематика:
Индустрии современных сверхбольших интегральных схем (СБИС) требуются материалы с всё более низкой диэлектрической проницаемостью. Хотя современные диэлектрики характеризуются диэлектрической проницаемостью на уровне 2.5, материалы с показателем k < 2 всё больше востребованы промышленностью.
Технология:
Разработан новый диэлектрический материал с ультранизкой диэлектрической проницаемостью, являющийся комбинацией пористых неорганических наночастиц и высокофторированных полимеров. Данная комбинация позволила получить материалы с диэлектрической проницаемостью менее 2. Данный материал может наноситься из жидкой фазы посредством спинкоатинга и является совместимым с современным процессом производства СБИС. Немаловажным преимуществом данного материала являются высокая механическая и термическая стабильность, низкая скорость диффузии меди, а также высокие значения напряжения пробоя и низкие токи утечки. В случае промышленного применения новый диэлектрический материал позволит сделать следующие шаги в миниатюризации СБИС и может быть использован в техпроцессах менее 12 нм.
Преимущества:
Разработчики:
Интеллектуальная собственность:
Публикации:
Если Вас заинтересовала данная технология, пожалуйста, обратитесь к сотрудникам ОТЗ для обсуждения перспектив лицензирования или научной кооперации.